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NP160N04TDG-E1-AY

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MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

compliant

NP160N04TDG-E1-AY Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
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500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 160A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 270 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 15750 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.8W (Ta), 220W (Tc)
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263-7
Paket / Koffer TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Zugehörige Teilenummer

PMG85XP125
PMG85XP125
$0 $/Stück
IRFS4610PBF
STF11N65K3
STF11N65K3
$0 $/Stück
SI5441DC-T1-E3
BSS123ATA
BSS123ATA
$0 $/Stück
IRF6201PBF

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