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SIA4263DJ-T1-GE3

SIA4263DJ-T1-GE3

SIA4263DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET POWE

compliant

SIA4263DJ-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.63000 $0.63
500 $0.6237 $311.85
1000 $0.6174 $617.4
1500 $0.6111 $916.65
2000 $0.6048 $1209.6
2500 $0.5985 $1496.25
50 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7.5A (Ta), 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 22mOhm @ 7.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 52.2 nC @ 8 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1825 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.29W (Ta), 15.6W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6
Paket / Koffer PowerPAK® SC-70-6
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Zugehörige Teilenummer

BSS123K-13
NTMSD2P102R2SG
NTMSD2P102R2SG
$0 $/Stück
STD7N65M6
STD7N65M6
$0 $/Stück
SCT4013DRC15
DMT6015LFV-7
FDS6064N3
SISA01DN-T1-GE3

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