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SISA01DN-T1-GE3

SISA01DN-T1-GE3

SISA01DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK

compliant

SISA01DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.40053 -
6,000 $0.37454 -
15,000 $0.36154 -
30,000 $0.35445 -
10 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 22.4A (Ta), 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.9mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 84 nC @ 10 V
vgs (max) +16V, -20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3490 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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