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SIA427ADJ-T1-GE3

SIA427ADJ-T1-GE3

SIA427ADJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6

compliant

SIA427ADJ-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.21660 -
6,000 $0.20340 -
15,000 $0.19020 -
30,000 $0.18096 -
1650 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 8 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.2V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 800mV @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 50 nC @ 5 V
vgs (max) ±5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2300 pF @ 4 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 19W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6
Paket / Koffer PowerPAK® SC-70-6
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Zugehörige Teilenummer

FDD8750
FQU10N20LTU
IXTA64N10L2-TRL
IXTA64N10L2-TRL
$0 $/Stück
RTF016N05TL
NTHL190N65S3HF
NTHL190N65S3HF
$0 $/Stück
IRF9Z14LPBF
IRF9Z14LPBF
$0 $/Stück
SI1424EDH-T1-GE3
SI4178DY-T1-GE3
NTHS4101PT1G
NTHS4101PT1G
$0 $/Stück

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