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SIA432DJ-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6

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SIA432DJ-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.52480 -
6,000 $0.50016 -
15,000 $0.48256 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 20mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 800 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6
Paket / Koffer PowerPAK® SC-70-6
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