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STP10N60M2

STP10N60M2

STP10N60M2

MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220

STP10N60M2 Technisches Datenblatt

nicht konform

STP10N60M2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.96000 $1.96
50 $1.58600 $79.3
100 $1.39930 $139.93
500 $1.10582 $552.91
1,000 $0.89240 -
2,500 $0.83905 -
5,000 $0.80171 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 600mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 13.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 400 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 85W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

MMFT3055ET1
MMFT3055ET1
$0 $/Stück
SQD97N06-6M3L_GE3
RM2302
RM2302
$0 $/Stück
BSS123L
BSS123L
$0 $/Stück
FQPF6N40CF

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