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SIA445EDJ-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6

nicht konform

SIA445EDJ-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.27459 -
6,000 $0.25677 -
15,000 $0.24786 -
30,000 $0.24300 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 16.5mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 72 nC @ 10 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2130 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6
Paket / Koffer PowerPAK® SC-70-6
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Zugehörige Teilenummer

IRF840PBF
IRF840PBF
$0 $/Stück
STW4N150
STW4N150
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FDD9407L-F085
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IXTA130N10T
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$0 $/Stück
STH315N10F7-6
IXFP18N65X2M
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$0 $/Stück
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APT5018SLLG

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