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SIA445EDJT-T1-GE3

SIA445EDJT-T1-GE3

SIA445EDJT-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6

compliant

SIA445EDJT-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.19259 -
6,000 $0.18086 -
15,000 $0.16912 -
30,000 $0.16090 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 16.7mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 69 nC @ 10 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2180 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 19W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6 Single
Paket / Koffer PowerPAK® SC-70-6
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Zugehörige Teilenummer

IXTQ30N60P
IXTQ30N60P
$0 $/Stück
TP5335K1-G
SIHG80N60E-GE3
SI2315BDS-T1-GE3
PMT280ENEAX
PMT280ENEAX
$0 $/Stück
RQ6E045TNTR
NVMFS6H801NLT1G
NVMFS6H801NLT1G
$0 $/Stück
NTMT095N65S3H
NTMT095N65S3H
$0 $/Stück

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