Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SIA456DJ-T3-GE3

SIA456DJ-T3-GE3

SIA456DJ-T3-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 1.1A/2.6A PPAK

compliant

SIA456DJ-T3-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.44055 $0.44055
500 $0.4361445 $218.07225
1000 $0.431739 $431.739
1500 $0.4273335 $641.00025
2000 $0.422928 $845.856
2500 $0.4185225 $1046.30625
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 14.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 350 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6
Paket / Koffer PowerPAK® SC-70-6
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

DMN3024SFG-7
NTTFS6H880NTAG
NTTFS6H880NTAG
$0 $/Stück
RF1S45N03L
RF1S45N03L
$0 $/Stück
R6002ENHTB1
DMN67D8LT-13
NTMFS4931NT1G-IRH1
NTMFS4931NT1G-IRH1
$0 $/Stück
NTMT125N65S3H
NTMT125N65S3H
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.