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SIA456DJ-T3-GE3

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SIA456DJ-T3-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 1.1A/2.6A PPAK

nicht konform

SIA456DJ-T3-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.44055 $0.44055
500 $0.4361445 $218.07225
1000 $0.431739 $431.739
1500 $0.4273335 $641.00025
2000 $0.422928 $845.856
2500 $0.4185225 $1046.30625
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 14.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 350 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6
Paket / Koffer PowerPAK® SC-70-6
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Zugehörige Teilenummer

DMN3024SFG-7
NTTFS6H880NTAG
NTTFS6H880NTAG
$0 $/Stück
RF1S45N03L
RF1S45N03L
$0 $/Stück
R6002ENHTB1
DMN67D8LT-13
NTMFS4931NT1G-IRH1
NTMFS4931NT1G-IRH1
$0 $/Stück
NTMT125N65S3H
NTMT125N65S3H
$0 $/Stück

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