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SIA462DJ-T4-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 12A/12A PPAK

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SIA462DJ-T4-GE3 Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Ta), 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 18mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 570 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6 Single
Paket / Koffer PowerPAK® SC-70-6
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Zugehörige Teilenummer

IRFZ44E
IRFZ44E
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SUM110N04-04-E3
FQA13N50
FQA13N50
$0 $/Stück
CSD25302Q2
CSD25302Q2
$0 $/Stück
SUD50N03-09P-GE3
2N7002LT1H
2N7002LT1H
$0 $/Stück
BSD214SNH6327
CPH3351-TL-W
CPH3351-TL-W
$0 $/Stück
IRF3709ZS

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