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SIB422EDK-T1-GE3

SIB422EDK-T1-GE3

SIB422EDK-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6

compliant

SIB422EDK-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.19855 -
6,000 $0.18645 -
15,000 $0.17435 -
30,000 $0.16588 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 30mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 18 nC @ 8 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 13W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-75-6
Paket / Koffer PowerPAK® SC-75-6
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Zugehörige Teilenummer

SIR696DP-T1-GE3
NTMFS024N06CT1G
NTMFS024N06CT1G
$0 $/Stück
NTMFSC0D9N04CL
NTMFSC0D9N04CL
$0 $/Stück
MTDF1C02HDR2
MTDF1C02HDR2
$0 $/Stück
FCMT099N65S3
FCMT099N65S3
$0 $/Stück
IRFP4568PBF
STH275N8F7-6AG
SI3429EDV-T1-GE3

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