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SIB456DK-T1-GE3

SIB456DK-T1-GE3

SIB456DK-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 6.3A PPAK SC75

compliant

SIB456DK-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.19855 -
6,000 $0.18645 -
15,000 $0.17435 -
30,000 $0.16588 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 185mOhm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 130 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-75-6
Paket / Koffer PowerPAK® SC-75-6
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Zugehörige Teilenummer

RFD16N05LSM
PSMN030-60YS,115
SQJA00EP-T1_GE3
SCH1331-TL-H
SCH1331-TL-H
$0 $/Stück
IRL60B216
DMP2130LDM-7
IXTA94N20X4
IXTA94N20X4
$0 $/Stück

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