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SIDR220DP-T1-RE3

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SIDR220DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET

nicht konform

SIDR220DP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.90000 $2.9
500 $2.871 $1435.5
1000 $2.842 $2842
1500 $2.813 $4219.5
2000 $2.784 $5568
2500 $2.755 $6887.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 87.7A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 200 nC @ 10 V
vgs (max) +16V, -12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 10850 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8DC
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

IRFL9014TRPBF
FQT5P10TF
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$0 $/Stück
IXFH86N30T
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$0 $/Stück
IRF840ALPBF
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$0 $/Stück
STF17N62K3
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$0 $/Stück
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