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SIDR392DP-T1-RE3

SIDR392DP-T1-RE3

SIDR392DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

compliant

SIDR392DP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.82000 $1.82
500 $1.8018 $900.9
1000 $1.7836 $1783.6
1500 $1.7654 $2648.1
2000 $1.7472 $3494.4
2500 $1.729 $4322.5
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 82A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 0.62mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 188 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9530 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8DC
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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