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SIDR608EP-T1-RE3

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Vishay Siliconix

N-CHANNEL 45 V (D-S) 175C MOSFET

nicht konform

SIDR608EP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.76000 $2.76
500 $2.7324 $1366.2
1000 $2.7048 $2704.8
1500 $2.6772 $4015.8
2000 $2.6496 $5299.2
2500 $2.622 $6555
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 45 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 56A (Ta), 228A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 167 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8900 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 7.5W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8DC
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

DMN66D0LT-7
BUK762R6-40E,118
3LN01C-TB-H
3LN01C-TB-H
$0 $/Stück
IXTK100N25P
IXTK100N25P
$0 $/Stück
SQJA62EP-T1_GE3
IXTA110N055T2
IXTA110N055T2
$0 $/Stück
IRL7833PBF

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