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SIDR626DP-T1-GE3

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SIDR626DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK

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SIDR626DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.36323 -
6,000 $1.31274 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 42.8A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 102 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5130 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8DC
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

IRFR210BTF
PSMN009-100B,118
SI2304DDS-T1-BE3
DMN67D8LW-7
STL40N75LF3
STL13N60M6
STL13N60M6
$0 $/Stück
RSM002N06T2L
FQP44N10
FQP44N10
$0 $/Stück

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