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SIDR668DP-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK

nicht konform

SIDR668DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.40333 -
6,000 $1.35135 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 108 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5400 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8DC
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

R6024VNXC7G
AUIRF6215
IXTH68P20T
IXTH68P20T
$0 $/Stück
SI2356DS-T1-GE3
FQP3N50C
IPI65R110CFD
SQS415ENW-T1_GE3
STB80N4F6AG
MSC035SMA070S

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