Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SIDR668DP-T1-RE3

SIDR668DP-T1-RE3

SIDR668DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

compliant

SIDR668DP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.11000 $3.11
500 $3.0789 $1539.45
1000 $3.0478 $3047.8
1500 $3.0167 $4525.05
2000 $2.9856 $5971.2
2500 $2.9545 $7386.25
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 108 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5400 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8DC
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

NVMFS4C302NT1G
NVMFS4C302NT1G
$0 $/Stück
SI2338DS-T1-BE3
SIHB22N60AE-GE3
SQJ402EP-T1_GE3
MMFT1N10ET1
MMFT1N10ET1
$0 $/Stück
APT6029BLLG

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.