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SIE802DF-T1-GE3

SIE802DF-T1-GE3

SIE802DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK

compliant

SIE802DF-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.94579 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.9mOhm @ 23.6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.7V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 160 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7000 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5.2W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 10-PolarPAK® (L)
Paket / Koffer 10-PolarPAK® (L)
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Zugehörige Teilenummer

PHP191NQ06LT,127
SI7145DP-T1-GE3
FDC637AN
FDC637AN
$0 $/Stück
NDP7050L
IRLR3105TRPBF
CSD18542KTT
CSD18542KTT
$0 $/Stück
STF21NM60ND
IRLI530GPBF
IRLI530GPBF
$0 $/Stück

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