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SIHA100N60E-GE3

SIHA100N60E-GE3

SIHA100N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 30A TO220

compliant

SIHA100N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $5.57000 $5.57
10 $4.97500 $49.75
100 $4.07930 $407.93
500 $3.30324 $1651.62
1,000 $2.78586 -
3,000 $2.64657 -
1026 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 100mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1851 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 35W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220 Full Pack
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

BSS138BKAHZGT116
STP110N8F7
STP110N8F7
$0 $/Stück
STW7N95K3
STW7N95K3
$0 $/Stück
NTD24N06-1G
NTD24N06-1G
$0 $/Stück
NTMFS4C05NT1G
NTMFS4C05NT1G
$0 $/Stück
NTTFS4930NTAG
NTTFS4930NTAG
$0 $/Stück

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