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SIHA12N60E-GE3

SIHA12N60E-GE3

SIHA12N60E-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 600V

nicht konform

SIHA12N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.65000 $2.65
500 $2.6235 $1311.75
1000 $2.597 $2597
1500 $2.5705 $3855.75
2000 $2.544 $5088
2500 $2.5175 $6293.75
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 58 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 937 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 33W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220 Full Pack
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

JDX5010
JDX5010
$0 $/Stück
STF16N90K5
STF16N90K5
$0 $/Stück
RV2C014BCT2CL
PMV65ENEAR
PMV65ENEAR
$0 $/Stück
STP23N80K5
STP23N80K5
$0 $/Stück
SI2324DS-T1-GE3
R6535KNZ4C13

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