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SIHA21N60EF-GE3

SIHA21N60EF-GE3

SIHA21N60EF-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 600V

compliant

SIHA21N60EF-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.20000 $4.2
500 $4.158 $2079
1000 $4.116 $4116
1500 $4.074 $6111
2000 $4.032 $8064
2500 $3.99 $9975
1000 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 176mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 84 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2030 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 35W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220 Full Pack
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

STF27N60M2-EP
RM5N800HD
RM5N800HD
$0 $/Stück
MSC080SMA120B4
IRLR024TRLPBF
RSM002P03T2L
PMPB25ENEA115
CSD18543Q3A
CSD18543Q3A
$0 $/Stück

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