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SIHA21N65EF-GE3

SIHA21N65EF-GE3

SIHA21N65EF-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 600V

compliant

SIHA21N65EF-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.95000 $4.95
500 $4.9005 $2450.25
1000 $4.851 $4851
1500 $4.8015 $7202.25
2000 $4.752 $9504
2500 $4.7025 $11756.25
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 21A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 106 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2322 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 35W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220 Full Pack
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

IXFN230N10
IXFN230N10
$0 $/Stück
STB28N60DM2
IPD60R600CP
FDB6670AS
PMV37ENEAR
PMV37ENEAR
$0 $/Stück
BUK9Y15-60E,115

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