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SIHA22N60AE-GE3

SIHA22N60AE-GE3

SIHA22N60AE-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 600V

nicht konform

SIHA22N60AE-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.79000 $3.79
500 $3.7521 $1876.05
1000 $3.7142 $3714.2
1500 $3.6763 $5514.45
2000 $3.6384 $7276.8
2500 $3.6005 $9001.25
1000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 96 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1451 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 33W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220 Full Pack
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

FQD5N60CTM-WS
FQD5N60CTM-WS
$0 $/Stück
NVH4L160N120SC1
NVH4L160N120SC1
$0 $/Stück
BVSS84LT1G
BVSS84LT1G
$0 $/Stück
RD3P175SNFRATL
AUIRFN8405TR
CSD23201W10
CSD23201W10
$0 $/Stück
STF11NM50N
STF11NM50N
$0 $/Stück
SQJA92EP-T1_GE3
STP141NF55
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$0 $/Stück

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