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SIHA4N80E-GE3

SIHA4N80E-GE3

SIHA4N80E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220

nicht konform

SIHA4N80E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.42000 $2.42
10 $2.19400 $21.94
100 $1.77680 $177.68
500 $1.39726 $698.63
1,000 $1.16955 -
2,500 $1.09365 -
5,000 $1.05570 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.27Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 622 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 69W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220 Full Pack
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

STF13NM60ND
NTMFS5C646NLT3G
NTMFS5C646NLT3G
$0 $/Stück
MCQ4435-TP
NTTFS5C453NLTWG
NTTFS5C453NLTWG
$0 $/Stück
MCAC100N03Y-TP
APT56F50L
FCU360N65S3R0
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$0 $/Stück
NVMTS0D7N06CTXG
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$0 $/Stück
RFD7N10LE
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