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SIHB068N60EF-GE3

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SIHB068N60EF-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 41A D2PAK

SOT-23

nicht konform

SIHB068N60EF-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $5.81000 $5.81
500 $5.7519 $2875.95
1000 $5.6938 $5693.8
1500 $5.6357 $8453.55
2000 $5.5776 $11155.2
2500 $5.5195 $13798.75
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 41A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 68mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 77 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2628 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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