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SIHB120N60E-GE3

SIHB120N60E-GE3

SIHB120N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK

compliant

SIHB120N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $5.80000 $5.8
10 $5.17800 $51.78
100 $4.24620 $424.62
500 $3.43836 $1719.18
1,000 $2.89982 -
3,000 $2.75483 -
5 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 25A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 120mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1562 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 179W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

STL66N3LLH5
IRF6613TRPBF
DMN2020LSN-7
STB7ANM60N
STB7ANM60N
$0 $/Stück
STF7N90K5
STF7N90K5
$0 $/Stück
IXFX150N30P3
IXFX150N30P3
$0 $/Stück
SI2308CDS-T1-GE3
SI6415DQ-T1-BE3
APT12057LFLLG

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