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SIHB120N60E-T5-GE3

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Vishay Siliconix

N-CHANNEL 600V

nicht konform

SIHB120N60E-T5-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $5.49000 $5.49
500 $5.4351 $2717.55
1000 $5.3802 $5380.2
1500 $5.3253 $7987.95
2000 $5.2704 $10540.8
2500 $5.2155 $13038.75
800 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 25A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 120mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1562 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 179W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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