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SIHB12N60ET5-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 12A TO263

nicht konform

SIHB12N60ET5-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.35000 $2.35
10 $2.13100 $21.31
100 $1.72530 $172.53
500 $1.35676 $678.38
1,000 $1.13565 -
2,500 $1.06195 -
5,000 $1.02510 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 58 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 937 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 147W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

BUK7Y25-40B,115
BUK7Y25-40B,115
$0 $/Stück
SIRA28BDP-T1-GE3
BUK766R0-60E,118
RSS100N03FRATB
R6009JNXC7G
ZXMP6A16KTC
PSMN6R9-100YSFX
FCPF1300N80Z
FCPF1300N80Z
$0 $/Stück
PSMN3R5-30YL,115

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