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SIHB15N80AE-GE3

SIHB15N80AE-GE3

SIHB15N80AE-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 13A D2PAK

compliant

SIHB15N80AE-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.86000 $2.86
500 $2.8314 $1415.7
1000 $2.8028 $2802.8
1500 $2.7742 $4161.3
2000 $2.7456 $5491.2
2500 $2.717 $6792.5
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 13A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 350mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 53 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1093 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 156W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

TP65H050G4BS
TP65H050G4BS
$0 $/Stück
5HN01C-TB-E
5HN01C-TB-E
$0 $/Stück
RFD3N08L
RFD3N08L
$0 $/Stück
DMNH6010SCTB-13
NVB260N65S3
NVB260N65S3
$0 $/Stück
2SK3354-AZ
2SK3354-AZ
$0 $/Stück
RJL5014DPP-E0#T2
RJL5014DPP-E0#T2
$0 $/Stück

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