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SIHB33N60EF-GE3

SIHB33N60EF-GE3

SIHB33N60EF-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK

compliant

SIHB33N60EF-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $7.41000 $7.41
10 $6.69500 $66.95
100 $5.55100 $555.1
500 $4.69300 $2346.5
1,000 $4.12100 -
2,500 $3.97800 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 33A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 98mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 155 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3454 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 278W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

DI9435T
DI9435T
$0 $/Stück
FDB8444
FDB8444
$0 $/Stück
SIA466EDJ-T1-GE3
NTMFS4119NT1G
NTMFS4119NT1G
$0 $/Stück
FDD8870
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$0 $/Stück
IXTP24P085T
IXTP24P085T
$0 $/Stück
BUK7M17-80EX

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