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SIHB4N80E-GE3

SIHB4N80E-GE3

SIHB4N80E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 4.3A D2PAK

nicht konform

SIHB4N80E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.27050 $1.2705
500 $1.257795 $628.8975
1000 $1.24509 $1245.09
1500 $1.232385 $1848.5775
2000 $1.21968 $2439.36
2500 $1.206975 $3017.4375
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.27Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 622 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 69W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

APTM50UM09FAG
SQJ402EP-T1_BE3
RM2305B
RM2305B
$0 $/Stück
FDFS2P102
2SK4089LS
2SK4089LS
$0 $/Stück
SIR880DP-T1-GE3
RCX220N25
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$0 $/Stück

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