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SIHB8N50D-GE3

SIHB8N50D-GE3

SIHB8N50D-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 500V 8.7A TO263

compliant

SIHB8N50D-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.81345 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 850mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 527 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 156W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D²Pak)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

APT6013JFLL
NTMTS001N06CLTXG
NTMTS001N06CLTXG
$0 $/Stück
RM6005S4
RM6005S4
$0 $/Stück
IRFH8318TRPBF
SI7308DN-T1-E3
2SK4094-1E
2SK4094-1E
$0 $/Stück
G20N03K
G20N03K
$0 $/Stück

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