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SIHD3N50DT1-GE3

SIHD3N50DT1-GE3

SIHD3N50DT1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 500V 3A DPAK

compliant

SIHD3N50DT1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.38610 $0.3861
500 $0.382239 $191.1195
1000 $0.378378 $378.378
1500 $0.374517 $561.7755
2000 $0.370656 $741.312
2500 $0.366795 $916.9875
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 175 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 69W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252AA
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

IRLR8729TRPBF
STD6N90K5
STD6N90K5
$0 $/Stück
FDFMA2P859T
STD52P3LLH6
FDMC7696
FDMC7696
$0 $/Stück
STFI6N62K3
STFI6N62K3
$0 $/Stück

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