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SIHF530-GE3

SIHF530-GE3

SIHF530-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB

SIHF530-GE3 Technisches Datenblatt

compliant

SIHF530-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.41606 $0.41606
500 $0.4118994 $205.9497
1000 $0.4077388 $407.7388
1500 $0.4035782 $605.3673
2000 $0.3994176 $798.8352
2500 $0.395257 $988.1425
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 14A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 160mOhm @ 8.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 26 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 670 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 88W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

SIHA2N80E-GE3
IXTA90N075T2-TRL
IXTA90N075T2-TRL
$0 $/Stück
FQP13N06L
FQP13N06L
$0 $/Stück
IPI023NE7N3G
DMP3097LQ-7
CSD17307Q5A
CSD17307Q5A
$0 $/Stück
FDD6632
FQP27P06
FQP27P06
$0 $/Stück

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