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SIHG039N60EF-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 61A TO247AC

nicht konform

SIHG039N60EF-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $13.04000 $13.04
500 $12.9096 $6454.8
1000 $12.7792 $12779.2
1500 $12.6488 $18973.2
2000 $12.5184 $25036.8
2500 $12.388 $30970
58 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 61A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 40mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 126 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4323 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 357W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

STP21N90K5
STP21N90K5
$0 $/Stück
MCP87090T-U/MF
CSD18513Q5AT
IXTH16N10D2
IXTH16N10D2
$0 $/Stück
NTP5862NG
NTP5862NG
$0 $/Stück
STF5N52K3
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$0 $/Stück
FQP3N60
2SK669-AC
2SK669-AC
$0 $/Stück

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