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SIHG105N60EF-GE3

SIHG105N60EF-GE3

SIHG105N60EF-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC

compliant

SIHG105N60EF-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.53000 $4.53
500 $4.4847 $2242.35
1000 $4.4394 $4439.4
1500 $4.3941 $6591.15
2000 $4.3488 $8697.6
2500 $4.3035 $10758.75
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 29A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 102mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 53 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1804 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 208W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

NVMFS4C03NWFT1G
NVMFS4C03NWFT1G
$0 $/Stück
IXKH35N60C5
IXKH35N60C5
$0 $/Stück
IXTA96P085T-TRL
IXTA96P085T-TRL
$0 $/Stück
IRFP3006PBF
SI3417DV-T1-GE3
SI6423DQ-T1-E3

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