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SIHG17N80AE-GE3

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SIHG17N80AE-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC

nicht konform

SIHG17N80AE-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.27000 $3.27
500 $3.2373 $1618.65
1000 $3.2046 $3204.6
1500 $3.1719 $4757.85
2000 $3.1392 $6278.4
2500 $3.1065 $7766.25
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 290mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 62 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1260 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 179W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

IRFPG40PBF
IRFPG40PBF
$0 $/Stück
RSH065N06GZETB
DMP4015SK3Q-13
RSJ650N10TL
FCH165N60E
FCH165N60E
$0 $/Stück
DMT15H067SSS-13
NVMFS5C673NT1G
NVMFS5C673NT1G
$0 $/Stück

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