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SIHG180N60E-GE3

SIHG180N60E-GE3

SIHG180N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC

compliant

SIHG180N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.28000 $4.28
10 $3.84500 $38.45
100 $3.17690 $317.69
500 $2.59818 $1299.09
1,000 $2.21236 -
2,500 $2.10849 -
5,000 $2.03429 -
339 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 19A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 180mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 33 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1085 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 156W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

IRFD9120
IRFD9120
$0 $/Stück
SIRA88DP-T1-GE3
5LP01S-TL-E
5LP01S-TL-E
$0 $/Stück
MMSF7N03ZR2
MMSF7N03ZR2
$0 $/Stück
PMK35EP,518
PMK35EP,518
$0 $/Stück
NTHL110N65S3F
NTHL110N65S3F
$0 $/Stück

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