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SIHG21N60EF-GE3

SIHG21N60EF-GE3

SIHG21N60EF-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

compliant

SIHG21N60EF-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.95000 $4.95
10 $4.42200 $44.22
100 $3.62600 $362.6
500 $2.93620 $1468.1
1,000 $2.47632 -
2,500 $2.35250 -
118 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 21A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 176mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 84 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2030 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 227W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

SIA110DJ-T1-GE3
IRF9510STRLPBF
IXFP12N65X2
IXFP12N65X2
$0 $/Stück
FQD17N08LTM
BUK7S0R7-40HJ
IXFP20N50P3M
IXFP20N50P3M
$0 $/Stück
SIR5102DP-T1-RE3

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