Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SIHG21N80AEF-GE3

SIHG21N80AEF-GE3

SIHG21N80AEF-GE3

Vishay Siliconix

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST

nicht konform

SIHG21N80AEF-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.53000 $3.53
500 $3.4947 $1747.35
1000 $3.4594 $3459.4
1500 $3.4241 $5136.15
2000 $3.3888 $6777.6
2500 $3.3535 $8383.75
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 250mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 71 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1511 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 179W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

TN2404K-T1-E3
SI7120ADN-T1-GE3
MSC180SMA120S
R6012JNJGTL
R6020KNJTL
R6020KNJTL
$0 $/Stück
CSD16401Q5T
CSD16401Q5T
$0 $/Stück
R6014YNXC7G

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.