Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SIHG22N60AE-GE3

SIHG22N60AE-GE3

SIHG22N60AE-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC

compliant

SIHG22N60AE-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.44000 $4.44
10 $3.96000 $39.6
100 $3.24720 $324.72
500 $2.62944 $1314.72
1,000 $2.21760 -
2,500 $2.10672 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 96 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1451 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 179W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

PHP18NQ10T,127
FDN304PZ
FDN304PZ
$0 $/Stück
RM6005AR
RM6005AR
$0 $/Stück
PSMN2R8-40PS,127
SIR588DP-T1-RE3
STL15N60M2-EP
APT12040JVR
SI4368DY-T1-GE3

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.