Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SIHG24N80AE-GE3

SIHG24N80AE-GE3

SIHG24N80AE-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 21A TO247AC

compliant

SIHG24N80AE-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.28000 $4.28
500 $4.2372 $2118.6
1000 $4.1944 $4194.4
1500 $4.1516 $6227.4
2000 $4.1088 $8217.6
2500 $4.066 $10165
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 21A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 184mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 89 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1836 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 208W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

SIJH600E-T1-GE3
PSMN005-30K,518
SQS423EN-T1_BE3
SIR418DP-T1-GE3
CPH3430-TL-E
CPH3430-TL-E
$0 $/Stück
DMN10H700S-7
APT10M19BVRG
STFU16N65M2

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.