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SIHG25N60EFL-GE3

SIHG25N60EFL-GE3

SIHG25N60EFL-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC

compliant

SIHG25N60EFL-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $5.75000 $5.75
10 $5.13400 $51.34
100 $4.21010 $421.01
500 $3.40914 $1704.57
1,000 $2.87518 -
2,500 $2.73142 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 25A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 146mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 75 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2274 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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