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SIHG33N65EF-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 650V 31.6A TO247AC

nicht konform

SIHG33N65EF-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $7.93000 $7.93
10 $7.16100 $71.61
100 $5.93740 $593.74
500 $5.01970 $2509.85
1,000 $4.40789 -
2,500 $4.25493 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 31.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 109mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 171 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4026 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 313W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

FDT86246L
FDT86246L
$0 $/Stück
IXFH18N60P
IXFH18N60P
$0 $/Stück
SIDR610EP-T1-RE3
RFD16N05NL
IRFR210PBF
IRFR210PBF
$0 $/Stück
STS8N6LF6AG
SI2333DS-T1-GE3
SQJA84EP-T1_BE3

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