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SI2333DS-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

nicht konform

SI2333DS-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.41000 -
6,000 $0.39075 -
15,000 $0.37700 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 12 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.1A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 32mOhm @ 5.3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 18 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1100 pF @ 6 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 750mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

SQJA84EP-T1_BE3
IRFP4004PBF
BSH205G2AR
BSH205G2AR
$0 $/Stück
FDD8782
FDD8782
$0 $/Stück
IXTH50P10
IXTH50P10
$0 $/Stück
SIDR668DP-T1-RE3
NVMFS4C302NT1G
NVMFS4C302NT1G
$0 $/Stück
SI2338DS-T1-BE3

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