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BSH205G2AR

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MOSFET P-CH 20V 2.6A TO236AB

BSH205G2AR Technisches Datenblatt

nicht konform

BSH205G2AR Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.53000 $0.53
500 $0.5247 $262.35
1000 $0.5194 $519.4
1500 $0.5141 $771.15
2000 $0.5088 $1017.6
2500 $0.5035 $1258.75
8338 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.6A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 118mOhm @ 2.6A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 900mV @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 421 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 610mW (Ta), 10W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-236AB
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

FDD8782
FDD8782
$0 $/Stück
IXTH50P10
IXTH50P10
$0 $/Stück
SIDR668DP-T1-RE3
NVMFS4C302NT1G
NVMFS4C302NT1G
$0 $/Stück
SI2338DS-T1-BE3
SIHB22N60AE-GE3
SQJ402EP-T1_GE3
MMFT1N10ET1
MMFT1N10ET1
$0 $/Stück

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