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SIHH070N60EF-T1GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 36A PPAK 8 X 8

nicht konform

SIHH070N60EF-T1GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $8.22000 $8.22
500 $8.1378 $4068.9
1000 $8.0556 $8055.6
1500 $7.9734 $11960.1
2000 $7.8912 $15782.4
2500 $7.809 $19522.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 36A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 71mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 75 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2647 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 202W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 8 x 8
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

RQ3E075ATTB
CSD18512Q5B
CSD18512Q5B
$0 $/Stück
STL40N10F7
STL40N10F7
$0 $/Stück
IRFR014TRLPBF
BUK969R3-100E,118
BUK9535-100A,127
BUK9535-100A,127
$0 $/Stück
IRLZ14PBF
IRLZ14PBF
$0 $/Stück
IRFR9014TRPBF-BE3

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