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SIHH105N60EF-T1GE3

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Vishay Siliconix

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

SOT-23

nicht konform

SIHH105N60EF-T1GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $7.19000 $7.19
500 $7.1181 $3559.05
1000 $7.0462 $7046.2
1500 $6.9743 $10461.45
2000 $6.9024 $13804.8
2500 $6.8305 $17076.25
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 26A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 105mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2099 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 174W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 8 x 8
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

SPU08N05L
IRFB3306PBF
FDPF085N10A
FDPF085N10A
$0 $/Stück
AUIRFB3806
IXTA36P15P-TRL
IXTA36P15P-TRL
$0 $/Stück
IRL520NPBF

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