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SIHP065N60E-GE3

SIHP065N60E-GE3

SIHP065N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB

compliant

SIHP065N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $8.28000 $8.28
10 $7.48100 $74.81
100 $6.20220 $620.22
500 $5.24352 $2621.76
1,000 $4.60443 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 40A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 65mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 98 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2700 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

NTHD2110TT1G
NTHD2110TT1G
$0 $/Stück
IRF644STRRPBF
BUZ21
BUZ21
$0 $/Stück
STP10NM60ND
FDI030N06
FDI030N06
$0 $/Stück
PXP015-30QLJ
SIHF15N65E-GE3

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